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NTE5540

更新时间： 2024-09-10 07:14:15

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps

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NTE5540 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.26
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	40 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	通态非重复峰值电流：	300 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	35000 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	55 A	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5540 数据手册

NTE5539 & NTE5540

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

55 Amps

Features:

D High Voltage Capability

D High Surge Capability

D Glass Passivated Chip

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)

Repetitive Peak Off–State Forward & Reverse Voltage, V_DRM, V_RRM

NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Maximum RMS On–State Current, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A

Average On–State Current, I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A

DC Gate Trigger Current (V_D= 12V, R_L= 30Ω), I_GT

Minimum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA

Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA

Maximum Peak Off–State Forward & Reverse Current (At rated V_DRM, V_RRM), I_{DRM, RRM}

(T_C= +25°C)

NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA

NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20µA

(T_C= +100°C)

NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA

NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5mA

(T_C= +125°C)

NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mA

NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mA

Peak On–State Voltage (I_T(RMS)= 55A, T_C= +25°C), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V

Maximum DC Gate Trigger Voltage (T_C= +25°C, V_D= 12V, R_L= 30Ω), V_GT. . . . . . . . . . . . . . 1.5V

Minimum DC Gate Trigger Voltage (T_C= +125°C, V_D= 12V, R_L= 30Ω), V_GT. . . . . . . . . . . . . . 0.2V

Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On–State Current = 400mA(DC)), I_H. . . . 60mA

Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 10µs), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width ≤ 10µs), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW

Peak One Cycle Surge Forward Current, I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A

Minimum Critical Rate–of–Applied Forward Voltage, dv/dt

(T_C= +100°C)

NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V/µs

NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/µs

(T_C= +125°C)

NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550V/µs

NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475V/µs

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NTE5540 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
S8055W	LITTELFUSE	类似代替	SCRs (1 A to 70 A)
S8055M	LITTELFUSE	功能相似	SCRs (1 A to 70 A)
S8035K	LITTELFUSE	功能相似	SCRs (1 A to 70 A)

与NTE5540相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5541	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp
NTE5542	ETC	获取价格
NTE5543	ETC	获取价格
NTE5544	ETC	获取价格
NTE5545	ETC	获取价格
NTE5546	ETC	获取价格
NTE5547	ETC	获取价格
NTE5548	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp
NTE555	NTE	获取价格	Silicon Pin Diode UHF/VHF Detector
NTE5550	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers

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