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NTE5517

更新时间： 2024-10-02 07:14:11

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR)

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NTE5517 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PRESS FIT, O-MUPF-D2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.12
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	25 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	50 mA	JEDEC-95代码：	TO-48
JESD-30 代码：	O-MUPF-D2	通态非重复峰值电流：	300 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	35000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	PRESS FIT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	35 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5517 数据手册

NTE5514 thru NTE5516

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (T_J= +100°C), V_DRM

NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Repetitive Peak Reverse Voltage (T_J= +100°C), V_RRM

NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . . 200A

Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ I_GTMfor 3µs Max), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate–Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Operating Temperatue Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3°C/W

Electrical Characteristics: (At Maximum Ratings and Specified Case Temperatures)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Peak Off–State Current

T = +100°C, Gate Open,

–

2.0 mA

DRM

and V

= Max. Rating

RRM

DRM

RRM

Maximum On–State Voltage (Peak)

Peak On–State Current

T = +25°C

–

1.9

2.0

–

DC Holding Current

T = +25°C, Gate Open

–

DC Gate–Trigger Current

DC Gate–Trigger Voltage

Gate Controlled Turn–On Time

Anode Voltage = 12V, R = 30Ω, T = +25°C

–

Anode Voltage = 12V, R = 30Ω, T = +25°C

–

t + t , I = 150mA

2.5

100

µs

r GT

Critical Rate–of–Rise of

Off–State Voltage

Critical T = +100°C, Gate Open

dv/dt

–

V/µs

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NTE5517 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MCR3835-2	DIGITRON	功能相似	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 50; Max TMS Bridge Inpu
2N3870	MOTOROLA	功能相似	Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors)

与NTE5517相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5518	ETC	获取价格
NTE5519	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE552	NTE	获取价格	Silicon Rectifier General Purpose, Fast Recovery
NTE5520	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR), 25A
NTE5521	ETC	获取价格
NTE5522	ETC	获取价格
NTE5523	ETC	获取价格
NTE5524	ETC	获取价格
NTE5525	ETC	获取价格
NTE5526	ETC	获取价格

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