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NTE5515

更新时间： 2024-10-01 23:54:59

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NTE5515 数据手册

NTE5514 thru NTE5516

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (T_J= +100°C), V_DRM

NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Repetitive Peak Reverse Voltage (T_J= +100°C), V_RRM

NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . . 200A

Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ I_GTMfor 3µs Max), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate–Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Operating Temperatue Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3°C/W

Electrical Characteristics: (At Maximum Ratings and Specified Case Temperatures)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Peak Off–State Current

T = +100°C, Gate Open,

–

2.0 mA

DRM

and V

= Max. Rating

RRM

DRM

RRM

Maximum On–State Voltage (Peak)

Peak On–State Current

T = +25°C

–

1.9

2.0

–

DC Holding Current

T = +25°C, Gate Open

–

DC Gate–Trigger Current

DC Gate–Trigger Voltage

Gate Controlled Turn–On Time

Anode Voltage = 12V, R = 30Ω, T = +25°C

–

Anode Voltage = 12V, R = 30Ω, T = +25°C

–

t + t , I = 150mA

2.5

100

µs

r GT

Critical Rate–of–Rise of

Off–State Voltage

Critical T = +100°C, Gate Open

dv/dt

–

V/µs

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