NTE5536

更新时间： 2024-09-10 07:14:11

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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2页	23K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR)

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NTE5536 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.08	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	60 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流：	400 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	40000 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	40 A	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5536 数据手册

NTE5536

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Description:

The NTE5536 is a silicon controlled rectifier (SCR) in a TO220 type package designed for use as

back–to–back SCR output devices for solid state relays or applications requiring high surge opera-

tion.

Features:

D 400A Surge Capability

D 800V Blocking Voltage

Absolute Maximum Ratings:

Peak Reverse Blocking Voltage (Note 1), V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

RMS Forward Current (T_C= +80°C, Note 2), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

Average Forward Current (All Conduction Angles, Note 2), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Peak Non–Repetitive Surge Current (1/2 Cycle, Sine Wave), I_TSM

8.3ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400A

1.5ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450A

Forward Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Forward Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Forward Peak Gate Current (300µs, 120 PPS), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60°C/W

Note 1. V_RRMcan be applied on a continuous DC basis without incurring damage. Ratings apply

for zero or negative voltage. Device should be tested for blocking capability in a manner such

that the voltage supplied exceeds the rated blocking voltage.

Note 2. This device is rated for use in applications subject to high surge conditions. Care must be

taken to insure proper heat sinking when the device i to be used at high sustained currents.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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