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NTE5538

更新时间： 2024-09-10 07:14:15

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NTE		可控硅整流器
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2页	26K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 800VDRM, 50A

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NTE5538 数据手册

NTE5538

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

800V_DRM, 50A

Description:

The NTE5538 general purpose SCR is suited for power supplies up to 400H_Zon resistive or inductive

loads.

Features:

D Glass Passivated Chip

D High Stability and Reliability

D High Surge Capability

D High On–State Current

D Easy Mounting on Heatsink

D Isolated Package: Insulating Voltage 2500V_RMS

Absolute Maximum Ratings:

Peak Forward Blocking Voltage (T_J= +125°C), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Peak Reverse Blocking Voltage (T_J= +125°C), V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

RMS On–State Current (T_C= +70°C, Note 1), I_{T (RMS)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A

Average On–State Current (T_C= +70°C, Note 1), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32A

Non–Repetitive Surge Peak On–State Current (T_Jinitial = +25°C, Note 2), I_TSM

(t = 8.3ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525A

(t = 10ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A

I²t Value (t = 10ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1250A²sec

Critical Rate of Rise of On–State Current (Note 3), di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs

Storage and Operating Junction Temperature Range, T_stg, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Thermal Resistance

Junction–to–Case for DC, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1°C/W

Contact (Case–to–Heatsink), R_thCH. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2°C/W

Note 1. Single phase circuit, 180° conducting angle.

Note 2. Half sine wave.

Note 3. I_G= 800mA, di_G/dt = 1A/µs.

Gate Characteristics: (Maximum Values)

Peak Gate Power (t = 10µs), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Average Gate Power Dissipation, P_{G (AV)}. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Peak Forward Gate Current (t = 10µs), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Forward Gate Voltage (t = 10µs), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

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NTE5538 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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S4065K	LITTELFUSE	功能相似	SCRs (1 A to 70 A)
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