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NTE5539 PDF预览

NTE5539

更新时间: 2024-09-10 07:14:15
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps

NTE5539 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.11Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:40 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:60 mAJEDEC-95代码:TO-218
JESD-30 代码:R-PSFM-T3通态非重复峰值电流:650 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:55000 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:55 A
断态重复峰值电压:400 V重复峰值反向电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

NTE5539 数据手册

 浏览型号NTE5539的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5539 & NTE5540  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
55 Amps  
Features:  
D High Voltage Capability  
D High Surge Capability  
D Glass Passivated Chip  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)  
Repetitive Peak Off–State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM  
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Maximum RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A  
Average On–State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A  
DC Gate Trigger Current (VD = 12V, RL = 30), IGT  
Minimum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA  
Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA  
Maximum Peak Off–State Forward & Reverse Current (At rated VDRM, VRRM), IDRM, RRM  
(TC = +25°C)  
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA  
I
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20µA  
(TC = +100°C)  
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA  
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5mA  
(TC = +125°C)  
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mA  
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mA  
Peak On–State Voltage (IT(RMS) = 55A, TC = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V  
Maximum DC Gate Trigger Voltage (TC = +25°C, VD = 12V, RL = 30), VGT . . . . . . . . . . . . . . 1.5V  
Minimum DC Gate Trigger Voltage (TC = +125°C, VD = 12V, RL = 30), VGT . . . . . . . . . . . . . . 0.2V  
Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On–State Current = 400mA(DC)), IH . . . . 60mA  
Peak Gate Current (Pulse Width 10µs), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width 10µs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW  
Peak One Cycle Surge Forward Current, ITSM  
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A  
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A  
Minimum Critical Rate–of–Applied Forward Voltage, dv/dt  
(TC = +100°C)  
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V/µs  
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/µs  
(TC = +125°C)  
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550V/µs  
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475V/µs  

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