生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.60 | 风险等级: | 1.59 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
最大二极管电容: | 1.2 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | MIXER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
频带: | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 60 °C | 最大输出电流: | 0.1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.15 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 35 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE5530 | ETC |
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NTE5531 | NTE |
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Silicon Controlled Rectifier (SCR), 25A |
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NTE5534 | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR|65A I(T) |
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NTE5536 | NTE |
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Silicon Controlled Rectifier (SCR) |
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NTE5538 | NTE |
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Silicon Controlled Rectifier (SCR) 800VDRM, 50A |
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NTE5539 | NTE |
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Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps |
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NTE5540 | NTE |
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Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps |
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NTE5541 | NTE |
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Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp |
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NTE5542 | ETC |
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NTE5543 | ETC |
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