NTE555

更新时间： 2024-09-10 04:35:59

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NTE		二极管
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描述
Silicon Pin Diode UHF/VHF Detector

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NTE555 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
Base Number Matches：	1

NTE555 数据手册

NTE555

Silicon Pin Diode

UHF/VHF Detector

Description:

The NTE555 is designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily

adaptable to may other fast switching RF and digital applications.

Features:

D Schottky Barrier Construction Provides Stable Characteristics by Eliminating

the “Cat–Whisker” or “S–Bend” Contact

D Very Low Capacitance: 1.0pF

D Extremely Low Minority Carrier Lifetime: 100ps (Max)

D High Reverse Voltage: V_R= 50V

D Low Reverse Leakage Current: I_R= 200nA (Max)

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C, unless otherwise indicated)

Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Forward Power Dissipation (T_A= 25°C), P_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C, unless otherwise indicated)

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

Diode Capacitance

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

V_(BR)RI_R= 10µA

–

C_T

V_R= 20V, f = 1MHz

0.48 1.0

Minority Carrier Lifetime

Reverse Leakage Current

Forward Voltage

I_F= 5mA, Krakauer Method

V_R= 25V

–

100

200

1.2

–

I_R

–

V_F

C_C

I_F= 10mA

–

1.0

0.1

Case Capactiance

f = 1MHz

–

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