NTE5511

更新时间： 2024-10-02 07:14:11

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp

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NTE5511 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.12
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	15 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	20 mA	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	通态非重复峰值电流：	60 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	5000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	5.024 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5511 数据手册

NTE5511 thru NTE5513

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

5 Amp

Description:

The NTE5511 thru NTE5513 all–diffused, three junction, silicon controlled rectifiers (SCR’s) are in-

tended for use in power–control and power–switching applications. These devices are available in

a TO66 type package and have a blocking voltage capability of up to 600V and a forward current rating

of 5A (rms value) at a case temperature of +75°C.

Features:

D Designed Especially for High–Volume Systems

D Direct–Soldered Internal Construction Assures

Exceptional Resistance to Fatigue

D Readily Adaptable for PC Boards and Metal

D Symmetrical Gate–Cathode Construction Pro-

vides Uniform Current Density, Rapid Electrical

Conduction, and Efficient Heat Dissipation

D All–Welded Construction and Hermetic Sealing

D Low Leakage Currents, Forward and Reverse

D Low Forward Voltage Drop at High Current

Levels

Heat Sinks

D Low Switching Losses

D High di/dt and dv/dt Capabilities

D Shorted Emitter Gate–Cathode Construction

D Forward and Reverse Gate Dissipation Ratings

D All–Diffused Construction Assures Exceptional

Uniformity and Stability of Characteristics

D Low Thermal Resistance

Absolute Maximum Ratings: (For Operation with Sinusoidal AC Supply Voltage at a Frequency

between 50Hz and 400Hz, and with Resistive or Inductive Load)

Transient Peak Reverse Voltage (Non–Repetitive), V_RM(non–rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 660V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Peak Reverse Voltage (Repetitive), V_RM(rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Peak Forward Blocking Voltage (Repetitive), V_FBOM(rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Average DC Forward Current, I_F(av)

(T_C= +75°C mounted on heat sink, conduction angle or 180°) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

RMS Forward Current (T_C= +75°C mounted on heat sink), I_FRMS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak Surge Current (For one cycle of applied voltage), i_FM(surge). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A

Sub–Cycle Surge (Non–Repetitive, for a period of 1ms to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A²sec

Rate of Change of Forward Current (Note 1), di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Gate Power (Peak, Forward, or Reverse, for 10µs duration, Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . 13W

Average Gate Power (Note 2), P_GAV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Case Temperature Range, T_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Note 1. V_FB= v_BOO(min value), I_GT= 200mA, 0.5µs rise time

Note 2. Any values of peak gate current or peak gate voltage to give the maximum gate power is

permissible.

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NTE5511 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
S4015LTP	LITTELFUSE	功能相似	Silicon Controlled Rectifier, 15A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
TS420-600T	STMICROELECTRONICS	功能相似	Sensitive gate 4 A SCRs
TS420-600B-TR	STMICROELECTRONICS	功能相似	4A SCRs

与NTE5511相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5512	ETC	获取价格
NTE5513	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp
NTE5514	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5515	ETC	获取价格
NTE5516	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5517	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5518	ETC	获取价格
NTE5519	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE552	NTE	获取价格	Silicon Rectifier General Purpose, Fast Recovery
NTE5520	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR), 25A

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