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NTE5513

更新时间： 2024-10-02 07:14:11

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp

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NTE5513 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	15 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	20 mA
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
通态非重复峰值电流：	60 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	5000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	5.024 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5513 数据手册

NTE5511 thru NTE5513

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

5 Amp

Description:

The NTE5511 thru NTE5513 all–diffused, three junction, silicon controlled rectifiers (SCR’s) are in-

tended for use in power–control and power–switching applications. These devices are available in

a TO66 type package and have a blocking voltage capability of up to 600V and a forward current rating

of 5A (rms value) at a case temperature of +75°C.

Features:

D Designed Especially for High–Volume Systems

D Direct–Soldered Internal Construction Assures

Exceptional Resistance to Fatigue

D Readily Adaptable for PC Boards and Metal

D Symmetrical Gate–Cathode Construction Pro-

vides Uniform Current Density, Rapid Electrical

Conduction, and Efficient Heat Dissipation

D All–Welded Construction and Hermetic Sealing

D Low Leakage Currents, Forward and Reverse

D Low Forward Voltage Drop at High Current

Levels

Heat Sinks

D Low Switching Losses

D High di/dt and dv/dt Capabilities

D Shorted Emitter Gate–Cathode Construction

D Forward and Reverse Gate Dissipation Ratings

D All–Diffused Construction Assures Exceptional

Uniformity and Stability of Characteristics

D Low Thermal Resistance

Absolute Maximum Ratings: (For Operation with Sinusoidal AC Supply Voltage at a Frequency

between 50Hz and 400Hz, and with Resistive or Inductive Load)

Transient Peak Reverse Voltage (Non–Repetitive), V_RM(non–rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 660V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Peak Reverse Voltage (Repetitive), V_RM(rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Peak Forward Blocking Voltage (Repetitive), V_FBOM(rep)

NTE5511 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5512 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5513 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Average DC Forward Current, I_F(av)

(T_C= +75°C mounted on heat sink, conduction angle or 180°) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

RMS Forward Current (T_C= +75°C mounted on heat sink), I_FRMS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak Surge Current (For one cycle of applied voltage), i_FM(surge). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A

Sub–Cycle Surge (Non–Repetitive, for a period of 1ms to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A²sec

Rate of Change of Forward Current (Note 1), di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Gate Power (Peak, Forward, or Reverse, for 10µs duration, Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . 13W

Average Gate Power (Note 2), P_GAV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Case Temperature Range, T_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Note 1. V_FB= v_BOO(min value), I_GT= 200mA, 0.5µs rise time

Note 2. Any values of peak gate current or peak gate voltage to give the maximum gate power is

permissible.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE5515	ETC	获取价格
NTE5516	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5517	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5518	ETC	获取价格
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NTE552	NTE	获取价格	Silicon Rectifier General Purpose, Fast Recovery
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