Datasheet > NTE2542

NTE2542

更新时间： 2024-11-24 04:36:03

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体驱动器继电器晶体管达林顿晶体管电机
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington, Motor/Relay Driver

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2542 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.16
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2542 数据手册

NTE2541 (NPN) & NTE2542 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington, Motor/Relay Driver

Absolute Maximum Ratings:

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

Continuous Base Current. I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Collector Power Dissipation (T_FL= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (Note 1)

Parameter

Collector Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 120V, I_E= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

µA

Emitter Cutoff Current

I_EBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

V_(BR)CEOI_C= 25mA, R_BE= ∞

h_FEV_CE= 4V, I_C= 12A

120

2000

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)I_C= 12A, I_B= 24mA

V_BE(sat)I_C= 12A, I_B= 24mA

1.8

2.5

–

Note 1. For NTE2542, the polarity is reversed.

中文翻译

下载PDF

与NTE2542相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2543	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington, Motor/Relay Driver
NTE2544	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington Driver
NTE2545	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington, High Speed Driver
NTE2546	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington, High Speed Driver
NTE2547	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Driver
NTE2548	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Driver
NTE2549	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington Driver, Switch
NTE255	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Horizontal Driver, Amp
NTE2550	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington Driver, Switch
NTE2551	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Darlington Driver, Switch

与NTE2542相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2542

NTE2542 技术参数

NTE2542 数据手册

与NTE2542相关器件

与NTE2542相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2542

NTE2542 技术参数

NTE2542 数据手册

与NTE2542相关器件

与NTE2542相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？