NTE256

更新时间： 2024-11-01 22:54:19

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NTE		晶体二极管晶体管功率双极晶体管开关局域网
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2页	27K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington w/Damper Diode

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NTE256 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	28 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE256 数据手册

NTE256

Silicon NPN Transistor

Darlington ^w/Damper Diode

Description:

The NTE256 is a silicon epitaxial planer NPN Darlington transistor in a TO218 type package with an

integrated Base–Emitter speed–up diode. This device is particularly suitable for use as an output

stage in high power, fast switching applications.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltagte (I_E= 0), V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Collector–Emitter Voltage (I_B= 0), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter–Base Voltage (I_C= 0), V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28A

Peak (t_p= 10ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Total Power Dissipation (T_C≤ +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to + 175°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

= 400V, I = 0

–

100

µA

CEO

= 600V, V = 1.5V, Note 1

CEV

= 600V, V = 1.5V, T = +100°C,

Note 1

Emitter Cutoff Current

= 2V, I = 0, Note 1

–

400

–

175

–

EBO

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Emitter Saturation Voltage

I = 100mA, Note 1

CEO(sus)

I = 10A, I = 0.5A

2.0

2.5

3.0

5.0

CE(sat)

I = 18A, I = 1.8A

–

I = 22A, I = 2.2A

–

I = 28A, I = 5.6A

–

Note 1. Pulsed: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.

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