NTE2566

更新时间： 2024-11-23 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors High Current, High Speed Switch

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NTE2566 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	ISOLATED TO-202, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2566 数据手册

NTE2566 (NPN) & NTE2567 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Current, High Speed Switch

Features:

D Low Saturation Voltage

D Fast Switching Speed

D Isolated TO220 Type Package

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Collector Power Dissipation, P_C

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 40V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

200

–

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 1A

V_CE= 2V, I_C= 5A

V_CE= 5V, I_C= 1A

h_FE

100

–

Gain Bandwidth Product

f_T

–

MHz

Collector–Emitter Saturation Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

V_CE(sat)I_C= 6A, I_B= 0.6A

V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

–

0.4

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 1mA, I_C= 0

–

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