NTE2543

更新时间： 2024-11-23 22:40:39

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NTE		晶体驱动器继电器晶体管功率双极晶体管开关电机局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Darlington, Motor/Relay Driver

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NTE2543 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2543 数据手册

NTE2543

Silicon NPN Transistor

Darlington, Motor/Relay Driver

Absolute Maximum Ratings:

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Base Current. I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation (T_FL= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics:

Parameter

Collector Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 300V, I_E= 0

V_EB= 20V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

100 µA

Emitter Cutoff Current

I_EBO

10 mA

Collector–Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

V_(BR)CEOI_C= 25mA, R_BE= ∞

h_FEV_CE= 2V, I_C= 2A

250

2000

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)I_C= 2A, I_B= 2mA

V_BE(sat)I_C= 2A, I_B= 2mA

1.5

2.0

–

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