NTE2545

更新时间： 2024-11-19 22:40:39

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NTE		晶体驱动器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors Darlington, High Speed Driver

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NTE2545 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	2.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2545 数据手册

NTE2545 (NPN) & NTE2546 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington, High Speed Driver

Features:

D High Speed Switching

D Wide ASO Range

D High Gain Bandwidth Product

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 40V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

3.0

–

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 2V, I_C= 2.5A

V_CE= 5V, I_C= 2.5A

2000 5000

Gain–Bandwidth Product

f_T

–

200

–

MHz

Collector Emitter Saturation Volt-

V_CE(sat)

age

I_C= 2.5A, I_B= 5mA

–

0.9

–

NTE2545

NTE2546

–

1.0

–

1.5

2.0

–

Base Emitter Saturation Voltage

V_BE(sat)I_C= 2.5A, I_B= 5mA

Collector Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 5mA, I_E= 0

–

Collector Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 50mA, R_BE= ∞

–

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