NTE2553

更新时间： 2024-11-01 22:40:39

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NTE		晶体驱动器开关晶体管功率双极晶体管电机局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Darlington, Motor Driver, Switch

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NTE2553 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	2.2
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2553 数据手册

NTE2553

Silicon NPN Transistor

Darlington, Motor Driver, Switch

Features:

D High DC Current Gain

D High Breakdown Voltage

D Isolated TO220 Type Package

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±12A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cut–Off Current

Emitter Cut–Off Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 300V, I_E= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

300

200

500

100

–

100 µA

I_EBO

150 mA

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 250mA, L 40mH

–

DC Current Gain

h_FE

V_CE= 2V, I_C= 5A

V_CE= 2V, I_C= 10A

–

5000

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 10A, I_B= 100mA

–

2.0

2.3

2.0

–

Base–Emitter Saturation Voltage

Emitter–Collector Forward Voltage

Transition Frequency

Collector Output Capacitance

Turn–On Time

V_BE(sat)I_C= 10A, I_B= 100mA

–

V_ECF

f_T

I_E= 10A, I_B= 0

–

1.5

200

–

V_CE= 2V, I_C= 1A

–

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

–

1.0

2.0

V_CC= 100V,

I_B1= –I_B2= 100mA

Storage Time

–

Fall Time

–

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