NTE2550

更新时间： 2024-11-23 22:40:39

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NTE		晶体驱动器开关晶体管功率双极晶体管局域网
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington Driver, Switch

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NTE2550 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.33	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2550 数据手册

NTE2550

Silicon NPN Transistor

Darlington Driver, Switch

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Dielectric Strength (Terminal to case, AC1 minute), Vdis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2kV

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W

Mounting Torque (Note 1), TOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5kg •cm

Note 1. Recommended torque: 3kg • cm.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector Cut–Off Current

V_CEOV_CE(Clamp)

400

–

0.1

100

–

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= 500V

V_CE= 400V

V_EB= 12V

–

Emitter Cut–Off Current

DC Current Gain

–

V_CE= 2V, I_C= 7A

150

–

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 7A, I_B= 70mA

–

1.5

2.0

–

Base–Emitter Saturation Voltage

Gain–Bandwidth Product

Turn–On Time

V_BE(sat)I_C= 7A, I_B= 70mA

–

f_T

t_on

t_s

V_CE= 10V, I_C= 1A

–

MHz

µs

–

2.0

I_B1= I_B2= 70mA,

I_C= 7A, R_L= 10Ω,

V_BB2= 4V

Storage Time

–

µs

Fall Time

t_f

–

µs

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