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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4863NT4H
NTD4863NT4H PDF预览

NTD4863NT4H

更新时间： 2024-11-07 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 292K
描述
Power MOSFET 25V 49A 9.3 mOhm Single N-Channel DPAK

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NTD4863NT4H 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64雪崩能效等级（Eas）：60.5 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：9.2 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：98 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4863NT4H 数据手册

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NTD4863N  
Power MOSFET  
25 V, 49 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Trench Technology  
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These are Pb--Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I
MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
9.3 mΩ @ 10 V  
14 mΩ @ 4.5 V  
25 V  
49 A  
Applications  
• VCORE Applications  
• DC--DC Converters  
• High Side Switching  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
G
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain--to--Source Voltage  
Gate--to--Source Voltage  
V
25  
V
V
A
DSS  
S
V
±20  
11.3  
N--CHANNEL MOSFET  
GS  
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
A
4
θ
JA  
4
T
A
8.8  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
4
T
A
P
1.95  
W
A
D
R
θ
JA  
2
1
Continuous Drain  
Current R  
ID  
T
A
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
9.2  
7.1  
1
1
2
3
3
θ
JA  
2
T
A
Steady  
State  
3
(Note 2)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
T
A
P
I
1.27  
W
A
D
R
θ
JA  
Continuous Drain  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
49  
38  
D
Current R  
(Note 1)  
θ
JC  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
36.6  
W
A
D
R
θ
JC  
4
Pulsed Drain  
Current  
t =10ms  
p
T
A
= 25°C  
= 25°C  
I
DM  
98  
35  
Drain  
4
4
Drain  
Drain  
Current Limited by Package  
T
A
I
A
DmaxPkg  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
STG  
-- 5 5 t o  
+175  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
30.5  
6
A
S
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
2
Single Pulse Drain--to--Source Avalanche  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
60.5  
1
2
3
Drain  
1
3
J
DD  
GS  
Gate Drain Source  
Gate Source  
I = 11 A , L = 1.0 mH, R = 25 Ω)  
1
2
3
L
pk  
G
Gate Drain Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
4863N = Device Code  
= Pb--Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
June, 2010 -- Rev. 2  
NTD4863N/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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