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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4910N-35G
NTD4910N-35G PDF预览

NTD4910N-35G

更新时间： 2024-09-16 05:54:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 136K
描述
Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

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NTD4910N-35G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 369AD-01, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：25.3 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8.2 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD4910N-35G 数据手册

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NTD4910N  
Power MOSFET  
30 V, 37 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
9.0 mW @ 10 V  
13 mW @ 4.5 V  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
30 V  
37 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
"20  
11.2  
V
G
I
D
A
T = 25°C  
A
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JA  
T = 100°C  
A
7.9  
2.6  
S
4
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
D
D
D
4
q
JA  
4
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
8.2  
5.8  
Current (R  
(Note 2)  
)
q
JA  
T = 100°C  
A
Steady  
State  
2
1
1
2
3
3
1
2
3
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
Power Dissipation  
(R ) (Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
1.37  
W
A
q
JA  
CASE 369AD  
IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
37  
26  
D
C
C
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
T
C
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
P
27.3  
W
q
JC  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Pulsed Drain Current t =10ms T = 25°C  
I
152  
60  
A
A
p
A
DM  
I
DmaxPkg  
4
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
Drain  
4
4
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Drain  
Drain  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
23  
7.0  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
25.3  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
2
1
2
3
L = 0.1 mH, I  
= 22.5 A, R = 25 W)  
Drain  
L(pk)  
G
1
3
Gate Drain Source  
Gate Source  
1
2
3
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Gate Drain Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
4910N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
June, 2009 − Rev. 0  
NTD4910N/D  
 
12345678

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