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NSVF4017SG4T1G

更新时间： 2024-11-30 11:12:19

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安森美 - ONSEMI		放大器 PC 射频晶体管
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12页	842K
描述
用于低噪声放大器的射频晶体管

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NSVF4017SG4T1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	5 weeks	风险等级：	1.55
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1658152	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	Transistor BJT NPN	Samacsys Package Category：	SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：	NSVF4017SG4T1G	Samacsys Released Date：	2018-12-21 11:34:30
Is Samacsys：	N	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NSVF4017SG4T1G 数据手册

NSVF4017SG4

RF Transistor for Low Noise

Amplifier

12 V, 100 mA, f_T= 10 GHz typ.

This RF transistor is designed for low noise amplifier applications.

MCPH package is suitable for use under high temperature

environment because it has superior heat radiation characteristics.

This RF transistor is AEC−Q101 qualified and PPAP capable for

automotive applications.

www.onsemi.com

Features

• Low−noise Use: NF = 1.2 dB typ. (f = 1 GHz)

• High Cut−off Frequency: f = 10 GHz typ. (V = 5 V)

SC−82FL

MCPH4

CASE 419AR

• High Gain: |S21e| = 17 dB typ. (f = 1 GHz)

• MCPH4 Package is Pin−compatible with SC−82FL

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

ELECTRICAL CONNECTION

NPN

Typical Applications

1: Emitter

2: Collector

3: Emitter

4: Base

• Low Noise Amplifier for Digital Radio

• Low Noise Amplifier for TV

• Low Noise Amplifier for FM Radio

• RF Amplifier for UHF Application

1, 3

MAXIMUM RATINGS at T = 25°C

MARKING DIAGRAM

Rating

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Unit

CBO

CEO

EBO

100

450

°C

= Specific Device Code

= Lot Number

Collector Dissipation

Operating Junction and Storage Temper-

ature

T , T

−55 to

+150

stg

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

NSVF4015SG4T1G

SC−82FL

(Pb−Free)

3000 / Tape &

Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

March, 2018 − Rev. 0

NSFV4017SG4/D

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NSVF4020SG4	ONSEMI	获取价格	RF Transistor for Low Noise Amplifier
NSVF4020SG4T1G	ONSEMI	获取价格	RF Transistor for Low Noise Amplifier
NSVF5488SKT3G	ONSEMI	获取价格	RF Transistor for Low Noise Amplifier
NSVF5490SKT3G	ONSEMI	获取价格	RF Transistor for Low Noise Amplifier
NSVF5501SKT3G	ONSEMI	获取价格	用于低噪声放大器的射频晶体管
NSVF6001SB6T1G	ONSEMI	获取价格	射频晶体管，NPN 单，12 V，100 mA，fT = 6.7 GHz
NSVF6003SB6	ONSEMI	获取价格	RF Transistor
NSVF6003SB6T1G	ONSEMI	获取价格	RF Transistor
NSVG1001MXTAG	ONSEMI	获取价格	Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V
NSVG3109SG6T1G	ONSEMI	获取价格	MMIC, RF Amplifier, 3 V, 16 mA, 0.1 to 3.6 GHz

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