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NST3946DXV6T5G

更新时间： 2024-01-25 08:07:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 172K
描述
Complementary General Purpose Transistor

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NST3946DXV6T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.86最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

NST3946DXV6T5G 数据手册

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NST3946DXV6T1G,  
NST3946DXV6T5G  
Complementary General  
Purpose Transistor  
The NST3946DXV6T1 device is a spin-off of our popular  
SOT−23/SOT−323 three-leaded device. It is designed for general  
purpose amplifier applications and is housed in the SOT−563  
six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in  
one package, this device is ideal for low-power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
SOT−563  
CASE 463A  
• h , 100−300  
FE  
• Low V  
, ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Q
1
2
(4)  
(5)  
(6)  
Table 1. MAXIMUM RATINGS  
NST3946DXV6T1*  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
*Q1 PNP  
Q2 NPN  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
(NPN)  
(PNP)  
40  
−40  
MARKING DIAGRAM  
Collector−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
(NPN)  
(PNP)  
60  
−40  
46 MG  
Emitter−Base Voltage  
G
(NPN)  
(PNP)  
6.0  
−5.0  
46 = Specific Device Code  
Collector Current − Continuous  
I
C
M
G
= Date Code  
= Pb-Free Package  
(NPN)  
(PNP)  
200  
−200  
(Note: Microdot may be in either location)  
Electrostatic Discharge  
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NST3946DXV6T1G SOT−563 4,000/Tape & Reel  
(Pb-Free)  
NST3946DXV6T5G SOT−563 8,000/Tape & Reel  
(Pb-Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
July, 2012 − Rev. 2  
NST3946DXV6T1/D  
1234567...12

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NST3946DXV6T5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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