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NST3946DXV6T1

更新时间： 2024-01-30 15:17:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 164K
描述
Dual General Purpose Transistor

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NST3946DXV6T1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

NST3946DXV6T1 数据手册

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NST3946DXV6T1,  
NST3946DXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistor  
The NST3946DXV6T1 device is a spin- off of our popular  
SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general  
purpose amplifier applications and is housed in the SOT- 563  
six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in  
one package, this device is ideal for low-power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Q
1
2
• h , 100-300  
FE  
• Low V , ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
(4)  
(5)  
(6)  
NST3946DXV6T1*  
• Reduces Component Count  
• Lead-Free Solder Plating  
*Q1 PNP  
Q2 NPN  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
4
5
Symbol  
Value  
Unit  
6
Collector- Emitter Voltage  
(NPN)  
(PNP)  
V
Vdc  
3
CEO  
2
1
40  
-40  
SOT-563  
CASE 463A  
PLASTIC  
Collector- Base Voltage  
(NPN)  
(PNP)  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
60  
-40  
MARKING DIAGRAM  
Emitter- Base Voltage  
(NPN)  
(PNP)  
6.0  
-5.0  
46 D  
Collector Current - Continuous  
(NPN)  
(PNP)  
I
C
200  
-200  
46 = Specific Device Code  
= Date Code  
D
Electrostatic Discharge  
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Device  
Package  
Shipping  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
A
P
357  
(Note 1)  
2.9  
mW  
D
NST3946DXV6T1 SOT-563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
(Note 1)  
NST3946DXV6T5 SOT-563  
2 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Thermal Resistance  
Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
q
JA  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
A
P
D
500  
(Note 1)  
4.0  
mW  
Derate above 25°C  
mW/°C  
(Note 1)  
1. FR-4 @ Minimum Pad  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
March, 2003 - Rev. 0  
NST3946DXV6T1/D  
1234567...12

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NST3946DXV6T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NST3946DXV6T5 ONSEMI

完全替代

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NST3946DXV6T1G ONSEMI

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