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NSR01F30MXT5G

更新时间： 2024-11-26 01:17:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Schottky Barrier Diode

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NSR01F30MXT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.52配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.1 A
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)Base Number Matches：1

NSR01F30MXT5G 数据手册

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NSR01F30MX  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are optimized for low forward  
voltage drop and low leakage current.  
Features  
• Very Low Forward Voltage Drop − 350 mV @ 10 mA  
• Low Reverse Current − 5 mA @ 10 V  
• 100 mA of Continuous Forward Current  
• ESD Rating − Human Body Model: Class 3B  
ESD Rating − Machine Model: Class C  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
30 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
1
2
CATHODE  
ANODE  
Typical Applications  
• LCD and Keypad Backlighting  
• Camera Photo Flash  
• Buck and Boost dc−dc Converters  
• Reverse Voltage and Current Protection  
• Clamping & Protection  
MARKING  
DIAGRAM  
PIN 1  
X3DFN2  
CASE 152AF  
F
M
Markets  
F
= Specific Device Code  
(Rotated 180°)  
= Date Code  
• Mobile Handsets  
• MP3 Players  
M
• Digital Camera and Camcorders  
• Notebook PCs & PDAs  
• GPS  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping†  
MAXIMUM RATINGS  
NSR01F30MXT5G X3DFN2  
(Pb−Free)  
15000 /  
Tape & Reel  
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Reverse Voltage  
V
R
Forward Current (DC)  
Forward Surge Current  
I
F
100  
mA  
A
I
FSM  
(60 Hz @ 1 cycle)  
2.0  
ESD Rating:  
Human Body Model  
Machine Model  
ESD  
>8.0  
>400  
kV  
V
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
August, 2014 − Rev. 2  
NSR01F30MX/D  
1234

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