是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SMC-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 4 weeks |
风险等级: | 1.35 | Samacsys Description: | LED Display Driver 1-Segments, 50 V, 2-pin SMC |
模拟集成电路 - 其他类型: | ANALOG CIRCUIT | JESD-30 代码: | R-PDSO-J2 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 6.86 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 2.56 mm | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | J BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 5.84 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSI6601B-DSPR | NOVOSENSE |
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NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和S | |
NSI6601B-DSWVR | NOVOSENSE |
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NSI6601C-DSPR | NOVOSENSE |
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NSI6601C-DSWVR | NOVOSENSE |
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NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和S | |
NSI6601MB-DSPR | NOVOSENSE |
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NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC M | |
NSI6601MB-DSWVR | NOVOSENSE |
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NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC M | |
NSI6601MB-Q1SPR | NOVOSENSE |
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NSI6601MB-Q1SWVR | NOVOSENSE |
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NSI6601MC-DSPR | NOVOSENSE |
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NSI6601MC-DSWVR | NOVOSENSE |
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