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NSI6601WC-Q1SWVR

更新时间： 2024-05-23 22:21:30

品牌	Logo	应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
28页	1849K
描述
NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流

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NSI6601WC-Q1SWVR 数据手册

NSI6601M-Q1

Single-Channel Isolated Gate Driver

Datasheet (EN) 1.1



SOP8: 3000V_rmsfor 1 minute per UL1577

Product Overview



DIN VDE V 0884-11:2017-01

The NSI6601M is a family of high reliability single-

channel isolated gate driver ICs which can be designed

to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC MOSFETs in

many applications. That provide minimum peak output

currents up to 5A and an integrated active Miller Clamp

circuit with the same current rating .

CSA component notice 5A

CQC certification per GB4943.1-2011

Applications



Isolated DC/DC and AC/DC Power Supplies

High Voltage PFC

The NSI6601M provides 3000Vrms isolation in SOP8

package, and 5700Vrms isolation in SOW8 package.

Solar Inverters

Motor Drives and EV Charging

UPS and Battery Chargers

System robustness is supported by 150kV/μs minimum

common-mode transient immunity (CMTI).

The driver operates with a maximum supply voltage of

28V, while the input-side accepts from 3V to 17V supply

voltage. Under voltage lock-out (UVLO) protection is

supported by all the power supply voltage pins.

Because of high driving current ability, excellent

robustness, wide supply voltage range and fast signal

propagation, NSI6601M is suitable for high reliability,

power density and efficient switching power system.

Device Information

Part Number

UVLO

Level

Package

Body Size

SOW8

7.5×5.85×2.3mm

NSI6601MB-

Q1SWVR

12V

SOW8

SOP8

SOW8

7.5×5.85×2.3mm

4.9×3.9×1.35mm

7.5×5.85×2.3mm

NSI6601MC-

Q1SWVR

NSI6601MB-

Q1SPR

Key Features

12V

NSI6601MC-

Q1SPR



Isolated single-channel driver

Active Miller Clamp

NSI6601WC-

Q1SWVR

Input side supply voltage: 3V to 17V

Driver side supply voltage: up to 28V with 9V, and 12V

UVLO options

Block Diagram



5A peak source and sink output current

Minimum CMTI: 150kV/μs

V_cc1

V_cc2

80ns typical propagation delay

RoHS & REACH Compliance

Operation temperature: -40°C ~125°C

AEC-Q100 Grade1

IN+

UVLO2,

OUT

CLAMP

V_EE2

UVLO

and

Input

Logic

Level

Shift,

and

Logic

Control

IN-

GND1

Safety Regulatory Approvals



UL recognition:

NSI6601M/W Diagram



SOW8: 5700V_rmsfor 1 minute per UL1577

Page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NSI6602A-DSPNR	NOVOSENSE	获取价格	NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
NSI6602A-DSWKR	NOVOSENSE	获取价格	NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
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NSI6602A-Q1SWKR	NOVOSENSE	获取价格	NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
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