5秒后页面跳转
NSI6601MC-Q1SWVR PDF预览

NSI6601MC-Q1SWVR

更新时间: 2024-11-19 17:00:43
品牌 Logo 应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
27页 4650K
描述
NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET在许多应用中。 提供分立输出用于分别控制上升和下降时间。 它可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流

NSI6601MC-Q1SWVR 数据手册

 浏览型号NSI6601MC-Q1SWVR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSI6601MC-Q1SWVR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NSI6601MC-Q1SWVR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NSI6601MC-Q1SWVR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NSI6601MC-Q1SWVR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NSI6601MC-Q1SWVR的Datasheet PDF文件第7页 
NSi6601M-Q1  
Single-Channel Isolated Gate Driver  
Datasheet (EN) 1.0  
CQCcertificationperGB4943.1-2011  
AEC-Q100Grade1  
Product Overview  
The NSi6601M is a family of high reliability single-  
channel isolated gate driver ICs which can be designed  
to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC MOSFETs in  
many applications. That  
output currents up to 5 A and an integrated active Miller  
Clamp circuit with the same current rating .  
The NSi6601M provides 3000Vrms isolation in SOP8  
(150mil) package, and 5700Vrms isolation in SOP8  
(300mil) package. System robustness is supported by  
150kV/us minimum common-mode transient immunity  
(CMTI).  
The driver operates with a maximum supply voltage of  
28V, while the input-side accepts from 3V to 17V supply  
voltage. Under voltage lock-out (UVLO) protection is  
supported by all the power supply voltage pins.  
Because of high driving current ability, excellent  
robustness, wide supply voltage range and fast signal  
propagation, NSi6601M is suitable for high reliability,  
power density and efficient switching power system.  
Applications  
IsolatedDC/DCandAC/DCPowerSupplies  
provide minimum peak  
HighVoltagePFC  
SolarInverters  
MotorDrivesandEV Charging  
UPSandBatteryChargers  
Device Information  
Part Number  
UVLO  
Level  
9V  
Package  
AEC-  
Q100  
SOP8 (300 mil) YES  
SOP8 (300 mil) YES  
SOP8 (150 mil) YES  
SOP8 (150 mil) YES  
SOP8 (300 mil) YES  
NSi6601MB-Q1SWVR  
NSi6601MC-Q1SWVR  
NSi6601MB-Q1SPR  
12V  
9V  
12V  
12V  
NSi6601MC-Q1SPR  
NSi6601WC-Q1SWVR  
Block Diagram  
Key Features  
Isolatedsingle-channeldriver  
ActiveMillerClamp  
Inputsidesupplyvoltage:3V to 17V  
Driver side supply voltage: up to 28V with 9V, and 12V  
UVLOoptions  
5Apeaksourceandsinkoutputcurrent  
MinimumCMTI:±150kV/us  
80nstypicalpropagationdelay  
Operationtemperature:-40°C ~125°C  
NSi6601M/WDiagram  
Safety Regulatory Approvals  
ULrecognition:  
SOP8(300mil):5700Vrms for1minuteperUL1577  
SOP8(150mil):3000Vrms for1minuteperUL1577  
DINVDE V 0884-11:2017-01  
CSAcomponentnotice5A  
Copyright © 2022, NOVOSENSE  
Page 1  

与NSI6601MC-Q1SWVR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSI6601WC-DSWVR NOVOSENSE

获取价格

NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和S
NSI6601WC-Q1SWVR NOVOSENSE

获取价格

NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动IGBT,功率MOSFET和SiC M
NSI6602A-DLAR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
NSI6602A-DSPNR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
NSI6602A-DSWKR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
NSI6602A-DSWR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开
NSI6602A-Q1SPNR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
NSI6602A-Q1SWKR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
NSI6602A-Q1SWR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602-Q1是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2M
NSI6602B-DLAR NOVOSENSE

获取价格

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开