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NSI6601C-DSWVR

更新时间： 2024-11-19 17:00:31
品牌 Logo 应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
27页 1529K
描述
NSI6601是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 N

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NSI6601  
Single-Channel Isolated Gate Driver  
Datasheet (EN) 1.3  
Product Overview  
Safety Regulatory Approvals  
The NSI6601 is a single-channel isolated gate driver  
designed to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC  
MOSFETs in many applications. It provides split outputs  
that control the rise and fall time individually. It can  
source and sink 5A peak current.  
UL recognition: 3000VRMS SOP8 and 5700VRMS SOW8 for  
1 minute per UL1577  
DIN VDE V 0884-11:2017-01  
CSA component notice 5A  
CQC certification per GB4943.1-2011  
The NSI6601 is available in SOP8 or SOW8 package,  
which can support 3000VRMS or 5700VRMS isolation per  
Applications  
UL1577. System robustness is supported by 150kV/μs  
minimum common-mode transient immunity (CMTI).  
The driver operates with a maximum supply voltage of  
32V, while the input-side accepts from 3.1V to 17V supply  
voltage. Under voltage lock-out (UVLO) protection is  
supported by all the power supply voltage pins.  
With high driving current, excellent robustness, wide  
supply voltage range and fast signal propagation,  
NSI6601 is suitable for high reliability, power density and  
efficiency switching power system.  
Isolated DC/DC and AC/DC Power Supplies  
High Voltage PFC  
Solar Inverters  
Motor Drives and EV Charging  
UPS and Battery Chargers  
Device Information  
Part Number  
UVLO  
Level  
9V  
Package  
Body Size  
Key Features  
4.9×3.9×1.35mm  
4.9×3.9×1.35mm  
7.5×5.85×2.3mm  
7.5×5.85×2.3mm  
NSI6601B-DSPR  
NSI6601C-DSPR  
SOP8  
SOP8  
SOW8  
SOW8  
Isolated single-channel driver  
13V  
Input side supply voltage: 3.1V to 17V  
NSI6601C-DSWVR 13V  
NSI6601B-DSWVR 9V  
Driver side supply voltage: up to 32V with 9V and 13  
UVLO options  
5A peak source and sink output current  
High CMTI: 150kV/μs  
Functional Block Diagrams  
Vcc1  
Vcc2  
78ns typical propagation delay  
Operation ambient temperature: -40°C ~125°C  
AEC-Q100 Grade1 option  
IN+  
OUT+  
OUT-  
UVLO  
Output Logic  
UVLO  
Input Logic  
IN-  
RoHS & REACH Compliant:  
GND1  
VEE2  
SOP8  
SOW8  
NSI6601 Block Diagram  
Copyright © 2023, NOVOSENSE  
Page 1  
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NSI6601MB-DSPR NOVOSENSE

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 		NSI6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动IGBT，功率MOSFET和SiC M
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