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NP36N055HHE

更新时间： 2024-01-09 18:44:59

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
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8页	402K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 36A I(D) \| TO-251VAR

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NP36N055HHE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP36N055HHE 数据手册

NP36N055HHE, NP36N055IHE

Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

Figure7. DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

100

Pulsed

200

160

120

GS = 10 V

= −55˚C

25˚C

75˚C

0.1

150˚C

175˚C

0.01

DS - Drain to Source Voltage - V

GS - Gate to Source Voltage - V

Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

100

DS=10V

Pulsed

= 175˚C

75˚C

25˚C

0.1

−55˚C

ID = 18 A

0.01

0.1

100

- Drain Current - A

V^GS- Gate to Source Voltage - V

Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE

Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

Pulsed

4.0

DS = V

^Gµ^S

= 250

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

GS = 10 V

100

1000

−50

100

150

- Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - ˚C

Data Sheet D14152EJ3V0DS

1 2 345 6 7 8

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与NP36N055HHE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP36N055HHE-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251	获取价格
NP36N055HHE-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055HLE	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055HLE-AZ	RENESAS	Power MOSFETs for Automotive, , /	获取价格
NP36N055IHE	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055IHE-E1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格