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NP36N055HLE

更新时间： 2024-02-28 05:26:18

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	171K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN

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NP36N055HLE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-251, MP-3, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	雪崩能效等级（Eas）：	108 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP36N055HLE 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-Channel MOS Field Effect

PART NUMBER

PACKAGE

Transistor designed for high current switching applications.

NP36N055HLE

TO-251 (JEITA) / MP-3

TO-252 (JEITA) / MP-3Z

TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK

Note

NP36N055ILE

NP36N055SLE

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 13 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

R^DS(on)2= 16 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 18 A)

• Low C^iss: Ciss = 2900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

Note Not for new design.

(TO-251)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage

VDSS

VGSS

I^D(DC)

ID(pulse)

Gate to Source Voltage

±20

±36

Drain Current (DC)

Drain Current (Pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Channel Temperature

±144

1.2

120

IAS

36 / 33

12 / 108

175

E^AS

°C

T^ch

Storage Temperature

T^stg

–55 to + 175 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V (See Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

1.25

125

°C/W

R^th(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No.

D14156EJ4V0DS00 (4th edition)

The mark

shows major revised points.

Date Published July 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

1999, 2005

12 3 4 5 6 7

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与NP36N055HLE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP36N055HLE-AZ	RENESAS	Power MOSFETs for Automotive, , /	获取价格
NP36N055IHE	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055IHE-E1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格
NP36N055IHE-E1	NEC	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格
NP36N055IHE-E1-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格
NP36N055IHE-E1-AZ	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

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