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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | TAPE AND REEL |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 108 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 36 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP36N055ILE-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252 |
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| NP36N055ILE-E2-AZ | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP36N055ILE-E2-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP36N055SHE | RENESAS |
获取价格 |
Product Scout Automotive |
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| NP36N055SHE-AZ | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252 |
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| NP36N055SHE-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252AA |
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| NP36N055SLE | RENESAS |
获取价格 |
Product Scout Automotive |
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| NP36N055SLE-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252 |
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| NP36N055SLE-E1-AY | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP36N10SDE | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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