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NP36N055IHE

更新时间： 2024-02-07 03:57:30

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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NP36N055IHE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	108 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP36N055IHE 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

These products are N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

NP36N055HHE

TO-251 (JEITA) / MP-3

TO-252 (JEITA) / MP-3Z

TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK

Note

NP36N055IHE

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

• Low C^iss: Ciss = 2300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

NP36N055SHE

Note Not for new design.

(TO-251)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage

VDSS

V^GSS

ID(DC)

ID(pulse)

±20

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±36

Drain Current (Pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (TC = 25°C)

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Channel Temperature

±144

1.2

120

I^AS

36 / 33

12 / 108

175

EAS

°C

Tch

Storage Temperature

T^stg

–55 to + 175 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V (See Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

1.25

125

°C/W

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No.

D14152EJ4V0DS00 (4th edition)

The mark

shows major revised points.

Date Published July 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

1999, 2005

12 3 4 5 6 7

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与NP36N055IHE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP36N055IHE-E1	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格
NP36N055IHE-E1	NEC	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格
NP36N055IHE-E1-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格
NP36N055IHE-E1-AZ	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055IHE-E1-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
NP36N055IHE-E2	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252	获取价格

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