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NP36N055IHE

更新时间： 2024-02-22 19:43:38

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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NP36N055IHE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	108 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP36N055IHE 数据手册

NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE

Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

Figure7. DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

100

Pulsed

200

160

120

0.1

GS = 10 V

= −55˚C

25˚C

75˚C

150˚C

175˚C

0.01

DS - Drain to Source Voltage - V

GS - Gate to Source Voltage - V

Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

100

VDS=10V

Pulsed

= 175˚C

75˚C

25˚C

0.1

−55˚C

ID = 18 A

0.01

0.1

100

ID - Drain Current - A

GS - Gate to Source Voltage - V

Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE

Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

Pulsed

4.0

^Gµ^S

^D=^{S =}25^V0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

GS = 10 V

100

1000

−50

100

150

- Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - ˚C

Data Sheet D14152EJ4V0DS

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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