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NP36N055HHE

更新时间： 2024-01-24 06:38:31

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
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8页	402K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 36A I(D) \| TO-251VAR

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NP36N055HHE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP36N055HHE 数据手册

NP36N055HHE, NP36N055IHE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 °C)

CHARACTERISTICS

Drain to Source On-state Resistance

Gate to Source Threshold Voltage

Forward Transfer Admittance

Drain Leakage Current

Gate to Source Leakage Current

Input Capacitance

SYMBOL

R^DS(on)

V^GS(th)

| y^fs|

I^DSS

TEST CONDITIONS

V^GS= 10 V, I^D= 18 A

MIN. TYP. MAX.

UNIT

mΩ

3.0

V^DS= V^GS, I^D= 250 µA

V^DS= 10 V, I^D= 18 A

V^DS= 55 V, V^GS= 0 V

V^GS= 20 V, V^DS= 0 V

V^DS= 25 V

2.0

4.0

µA

I^GSS

C^iss

2300 3500

Output Capacitance

C^oss

C^rss

V^GS= 0 V

370

180

560

320

Reverse Transfer Capacitance

Turn-on Delay Time

f = 1 MHz

t^d(on)

t^r

t^d(off)

t^f

I^D= 18 A

Rise Time

V^GS(on)= 10 V

V^DD= 28 V

Turn-off Delay Time

100

Fall Time

R^G= 1 Ω

Total Gate Charge

Q^G

I^D= 18 A

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^GS

Q^GD

V^F(S-D)

t^rr

V^DD= 44 V

V^GS= 10 V

Body Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

I^F= 36 A, V^GS= 0 V

di/dt = 100 A/µs

1.0

Q^rr

TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY

TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME

D.U.T.

= 25 Ω

90%

Wave Form

GS(on)

10%

90%

PG.

50 Ω

GS = 20→0V

BVDSS

10% 10%

Wave Form

VDS

d(on)

d(off)

VDD

toff

τ = 1 µs

Duty Cycle ≤ 1 %

Starting Tch

TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE

D.U.T.

= 2 mA

PG.

50 Ω

Data Sheet D14152EJ3V0DS

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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