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NM27LV210T200

更新时间: 2024-09-16 20:20:19
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 334K
描述
IC 64K X 16 UVPROM, 200 ns, PDSO32, TSOP1-32, Programmable ROM

NM27LV210T200 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:LSSOP, TSOP40(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.61
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:200 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:UVPROM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装等效代码:TSOP40(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.27 mm最大待机电流:0.00002 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

NM27LV210T200 数据手册

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