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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC44,.7SQ | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 16.51 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC44,.7SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 16.51 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27LV210VE200 | TI |
获取价格 |
64KX16 OTPROM, 200ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 |
|
| NM27LV210VE250 | FAIRCHILD |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX16, 250ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 |
|
| NM27LV210VE250 | NSC |
获取价格 |
IC 64K X 16 OTPROM, 250 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM |
|
| NM27LV210VE300 | NSC |
获取价格 |
IC 64K X 16 UVPROM, 300 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM |
|
| NM27LV512JQ200 | TI |
获取价格 |
IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27LV512JQE250 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 250ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| NM27LV512L200 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512L250 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512L300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| NM27LV512LE250 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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