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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC44,.7SQ | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 300 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 16.51 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC44,.7SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 16.51 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27LV512JQ200 | TI |
获取价格 |
IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27LV512JQE250 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 250ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| NM27LV512L200 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512L250 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512L300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512LE250 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512Q300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512QE250 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512QE300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LV512T300 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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