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NM27LV210TE300

更新时间： 2024-11-06 20:20:19

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美国国家半导体 - NSC		可编程只读存储器 OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	334K
描述
IC 64K X 16 UVPROM, 300 ns, PDSO32, TSOP1-32, Programmable ROM

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NM27LV210TE300 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LSSOP, TSOP40(UNSPEC)	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.61
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	300 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	TSOP40(UNSPEC)
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.27 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM27LV210V150	NSC	获取价格	64KX16 OTPROM, 150ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
NM27LV210V200	NSC	获取价格	64KX16 OTPROM, 200ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
NM27LV210V250	FAIRCHILD	获取价格	OTP ROM, 64KX16, 250ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
NM27LV210V300	ETC	获取价格	x16 EPROM
NM27LV210VE150	NSC	获取价格	IC 64K X 16 OTPROM, 150 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM
NM27LV210VE200	TI	获取价格	64KX16 OTPROM, 200ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
NM27LV210VE250	FAIRCHILD	获取价格	OTP ROM, 64KX16, 250ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
NM27LV210VE250	NSC	获取价格	IC 64K X 16 OTPROM, 250 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM
NM27LV210VE300	NSC	获取价格	IC 64K X 16 UVPROM, 300 ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44, Programmable ROM
NM27LV512JQ200	TI	获取价格	IC 64K X 8 OTPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM