是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.27 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.969 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM27C512QE150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512QE150 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512QE150 | TI |
获取价格 |
64KX8 UVPROM, 150ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 | |
NM27C512QE200 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512QE200 | TI |
获取价格 |
64KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 | |
NM27C512QE90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512QE90 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512QM200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
EPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, | |
NM27C512QM200 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512QM200 | TI |
获取价格 |
64KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |