Datasheet > 存储 > OTP ROM> NM27C512VE120X

NM27C512VE120X

更新时间： 2024-09-29 13:11:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	109K
描述
OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NM27C512VE120X 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.21
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
长度：	13.995 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	11.455 mm	Base Number Matches：	1

NM27C512VE120X 数据手册

July 1998

NM27C512

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

The NM27C512 is one member of a high density EPROM Family

which range in densities up to 4 Megabit.

General Description

The NM27C512 is a high performance 512K UV Erasable Electri-

cally Programmable Read Only Memory (EPROM). It is manufac-

tured using Fairchild’s proprietary CMOS AMG™ EPROM tech-

nology for an excellent combination of speed and economy while

providing excellent reliability.

Features

■ High performance CMOS

— 90 ns access time

■ Fast turn-off for microprocessor compatibility

TheNM27C512providesmicroprocessor-basedsystemsstorage

capacity for portions of operating system and application soft-

■ Manufacturers identification code

ware. Its 90 ns access time provides no wait-state operation with

high-performance CPUs. The NM27C512 offers a single chip

solution for the code storage requirements of 100% firmware-

based equipment. Frequently-used software routines are quickly

executed from EPROM storage, greatly enhancing system utility.

■ JEDEC standard pin configuration

— 28-pin PDIP package

— 32-pin chip carrier

— 28-pin CERDIP package

The NM27C512 is configured in the standard JEDEC EPROM

pinoutwhichprovidesaneasyupgradepathforsystemswhichare

currently using standard EPROMs.

Block Diagram

Data Outputs O - O

GND

Output Enable and

Chip Enable Logic

CE/PGM

Output

Buffers

Y Decoder

524,288-Bit

Cell Matrix

- A

Address

Inputs

X Decoder

DS010834-1

AMG is a trademark of WSI, Inc.

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与NM27C512VE120X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM27C512VE150	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C512VE150	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE150	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE200	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE200	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C512VE90	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE90	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE90	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C520	ETC	获取价格
NM27C520__524_288-	ETC	获取价格

与NM27C512VE120X相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

21
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27C512VE120X

NM27C512VE120X 技术参数

NM27C512VE120X 数据手册

与NM27C512VE120X相关器件

与NM27C512VE120X相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27C512VE120X

NM27C512VE120X 技术参数

NM27C512VE120X 数据手册

与NM27C512VE120X相关器件

与NM27C512VE120X相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？