Datasheet > 存储 > OTP ROM> NM27C512VE150

NM27C512VE150

更新时间： 2024-11-16 04:13:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	109K
描述
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NM27C512VE150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.995 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.455 mm
Base Number Matches：	1

NM27C512VE150 数据手册

July 1998

NM27C512

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

The NM27C512 is one member of a high density EPROM Family

which range in densities up to 4 Megabit.

General Description

The NM27C512 is a high performance 512K UV Erasable Electri-

cally Programmable Read Only Memory (EPROM). It is manufac-

tured using Fairchild’s proprietary CMOS AMG™ EPROM tech-

nology for an excellent combination of speed and economy while

providing excellent reliability.

Features

■ High performance CMOS

— 90 ns access time

■ Fast turn-off for microprocessor compatibility

TheNM27C512providesmicroprocessor-basedsystemsstorage

capacity for portions of operating system and application soft-

■ Manufacturers identification code

ware. Its 90 ns access time provides no wait-state operation with

high-performance CPUs. The NM27C512 offers a single chip

solution for the code storage requirements of 100% firmware-

based equipment. Frequently-used software routines are quickly

executed from EPROM storage, greatly enhancing system utility.

■ JEDEC standard pin configuration

— 28-pin PDIP package

— 32-pin chip carrier

— 28-pin CERDIP package

The NM27C512 is configured in the standard JEDEC EPROM

pinoutwhichprovidesaneasyupgradepathforsystemswhichare

currently using standard EPROMs.

Block Diagram

Data Outputs O - O

GND

Output Enable and

Chip Enable Logic

CE/PGM

Output

Buffers

Y Decoder

524,288-Bit

Cell Matrix

- A

Address

Inputs

X Decoder

DS010834-1

AMG is a trademark of WSI, Inc.

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与NM27C512VE150相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM27C512VE200	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE200	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C512VE90	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE90	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE90	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C520	ETC	获取价格
NM27C520__524_288-	ETC	获取价格
NM27C520M90	ETC	获取价格	x8 EPROM
NM27C520ME90	ETC	获取价格	x8 EPROM
NM27C64	FAIRCHILD	获取价格	65,536-BIT (8192 X 8) CMOS EPROM

与NM27C512VE150相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

15
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

8
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

36
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27C512VE150

NM27C512VE150 技术参数

NM27C512VE150 数据手册

与NM27C512VE150相关器件

与NM27C512VE150相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27C512VE150

NM27C512VE150 技术参数

NM27C512VE150 数据手册

与NM27C512VE150相关器件

与NM27C512VE150相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？