是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.9 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 250 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 35.725 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.334 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM27LC512Q250 | NSC |
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IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM | |
NM27LC512QE250 | NSC |
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IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM | |
NM27LC512QE250 | TI |
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64KX8 UVPROM, 250ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | |
NM27LC512T200 | TI |
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64KX8 OTPROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 | |
NM27LC512T250 | TI |
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64KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 | |
NM27LC512TE150 | ETC |
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x8 EPROM | |
NM27LC512TE200 | TI |
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64KX8 OTPROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 | |
NM27LC512TE250 | TI |
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64KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 | |
NM27LC512V150 | TI |
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64KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27LC512V200 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |