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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.85 | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 35.725 mm |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.334 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27LC512NE200 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 200ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| NM27LC512NE250 | NSC |
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IC 64K X 8 OTPROM, 250 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27LC512NE250 | TI |
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64KX8 OTPROM, 250ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| NM27LC512Q250 | NSC |
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IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27LC512QE250 | NSC |
获取价格 |
IC 64K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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| NM27LC512QE250 | TI |
获取价格 |
64KX8 UVPROM, 250ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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| NM27LC512T200 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 |
|
| NM27LC512T250 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 250ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 |
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| NM27LC512TE150 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| NM27LC512TE200 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 200ns, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 |
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