是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | WDIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.715 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM27C512V | FAIRCHILD |
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524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512V120 | NSC |
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524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512V120 | TI |
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64KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27C512V120 | FAIRCHILD |
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524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512V150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512V150 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512V150 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27C512V200 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C512V200 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
NM27C512V90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |