Datasheet > NM27C512V150

NM27C512V150

更新时间： 2024-11-16 20:19:47

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		可编程只读存储器 OTP只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	183K
描述
64KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NM27C512V150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.68	最长访问时间：	150 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.995 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	11.455 mm	Base Number Matches：	1

NM27C512V150 数据手册

February 1994

NM27C512

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

General Description

The NM27C512 is a high performance 512K UV Erasable

Electrically Programmable Read Only Memory (EPROM). It

is manufactured using National’s proprietary 0.8 micron

CMOS AMG^TMEPROM technology for an excellent combi-

nation of speed and economy while providing excellent reli-

ability.

The NM27C512 is one member of a high density EPROM

Family which range in densities up to 4 Megabit.

Features

High performance CMOS

Ð 90 ns access time

The NM27C512 provides microprocessor-based systems

storage capacity for portions of operating system and appli-

cation software. Its 90 ns access time provides no-

wait-state operation with high-performance CPUs. The

NM27C512 offers a single chip solution for the code storage

requirements of 100% firmware-based equipment. Fre-

quently-used software routines are quickly executed from

EPROM storage, greatly enhancing system utility.

Fast turn-off for microprocessor compatibility

Manufacturers identification code

JEDEC standard pin configuration

Ð 28-pin DIP package

Ð 32-pin chip carrier

The NM27C512 is configured in the standard JEDEC

EPROM pinout which provides an easy upgrade path for

systems which are currently using standard EPROMs.

Block Diagram

TL/D/10834–1

TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.

NSC800^TMis a trademark of National Semiconductor Corporation.

AMG^TMis a trademark of WSI, Inc.

1995 National Semiconductor Corporation

TL/D/10834

RRD-B30M65/Printed in U. S. A.

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与NM27C512V150相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM27C512V200	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512V200	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C512V90	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512V90	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512V90X	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
NM27C512VE120	FAIRCHILD	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE120	NSC	获取价格	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
NM27C512VE120	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C512VE120X	FAIRCHILD	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
NM27C512VE150	TI	获取价格	64KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

与NM27C512V150相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

15
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

8
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

36
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27C512V150

NM27C512V150 技术参数

NM27C512V150 数据手册

与NM27C512V150相关器件

与NM27C512V150相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27C512V150

NM27C512V150 技术参数

NM27C512V150 数据手册

与NM27C512V150相关器件

与NM27C512V150相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？