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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 200 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C512V | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512V120 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512V120 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| NM27C512V120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C512V150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512V150 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
|
| NM27C512V150 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| NM27C512V200 | NSC |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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| NM27C512V200 | TI |
获取价格 |
64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| NM27C512V90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM |
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