是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFN | 包装说明: | 3 X 3 MM, 0.5 MM PITCH, QFN-10 |
针数: | 10 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 7.25 |
模拟集成电路 - 其他类型: | SPDT | JESD-30 代码: | S-XDSO-N10 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 3 mm |
信道数量: | 1 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 10 | 标称断态隔离度: | 65 dB |
通态电阻匹配规范: | 0.06 Ω | 最大通态电阻 (Ron): | 1 Ω |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
输出: | SEPARATE OUTPUT | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | HVSON | 封装等效代码: | SOLCC10,.11,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1 mm |
子类别: | Multiplexer or Switches | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 最长断开时间: | 50 ns |
最长接通时间: | 60 ns | 切换: | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn90Pb10) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NLAS4684MNR2G | ONSEMI |
功能相似 |
Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLAS4684MNR2G | ONSEMI |
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Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4684MR2 | ONSEMI |
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Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4684MR2G | ONSEMI |
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Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4685 | ONSEMI |
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Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4685/D | ETC |
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Ultra-Low Resistance Dual Analog Switch | |
NLAS4685FCT1 | ONSEMI |
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Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4685FCT1G | ONSEMI |
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Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4685MNR2G | ONSEMI |
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1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, QCC10, QFN-10 | |
NLAS4685MR2G | ONSEMI |
获取价格 |
1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, PDSO10, MICRO-10 | |
NLAS4717 | ONSEMI |
获取价格 |
4.5 ohm High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch |