是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 2 X 1.50 MM, FLIP CHIP-10 |
针数: | 10 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.58 |
模拟集成电路 - 其他类型: | SPDT | JESD-30 代码: | R-PBGA-B10 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 1.965 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 正常位置: | NC |
信道数量: | 1 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 10 | 标称断态隔离度: | 75 dB |
通态电阻匹配规范: | 0.1 Ω | 最大通态电阻 (Ron): | 4.5 Ω |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出: | SEPARATE OUTPUT | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA10,3X4,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 0.65 mm |
子类别: | Multiplexer or Switches | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 最长断开时间: | 40 ns |
最长接通时间: | 30 ns | 切换: | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 1.465 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NLAS4717FCT1G | ONSEMI |
类似代替 |
4.5 ohm High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4717EPFCT1G | ONSEMI |
功能相似 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLAS4717FCT1G | ONSEMI |
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4.5 ohm High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4717MR2 | ONSEMI |
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4.5 ohm High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4717MR2G | ONSEMI |
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4.5 ohm High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch | |
NLAS4783 | ONSEMI |
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Triple SPDT 1.0 ohm RON Switch | |
NLAS4783B | ONSEMI |
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Triple SPDT 1.0 ohm RON Switch | |
NLAS4783BMN1R2G | ONSEMI |
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Triple SPDT 1.0 ohm RON Switch | |
NLAS4783MN1R2G | ONSEMI |
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Triple SPDT 1.0 ohm RON Switch | |
NLAS5113 | ONSEMI |
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1⦠RON SPST Switch | |
NLAS5113DFT2G | ONSEMI |
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1Ω RON SPST Switch | |
NLAS5113MUTBG | ONSEMI |
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1⦠RON SPST Switch |