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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> NLAS4685FCT1G
NLAS4685FCT1G PDF预览

NLAS4685FCT1G

更新时间： 2024-09-13 03:46:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
10页 93K
描述
Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch

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NLAS4685FCT1G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BCC
包装说明：MICROBUMP-10针数：10
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.6Is Samacsys：N
模拟集成电路 - 其他类型：SPDTJESD-30 代码：R-PBGA-B10
JESD-609代码：e3长度：1.965 mm
湿度敏感等级：1正常位置：NO/NC
信道数量：1功能数量：1
端子数量：10标称断态隔离度：65 dB
通态电阻匹配规范：0.06 Ω最大通态电阻 (Ron)：1 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA10,3X4,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.65 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES最长断开时间：60 ns
最长接通时间：60 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：1.465 mm
Base Number Matches：1

NLAS4685FCT1G 数据手册

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NLAS4685  
Ultra−Low Resistance  
Dual SPDT Analog Switch  
The NLAS4685 is an advanced CMOS analog switch fabricated in  
Sub−micron silicon gate CMOS technology. The device is a dual  
Independent Single Pole Double Throw (SPDT) switch featuring  
http://onsemi.com  
Ultra−Low R of 0.8 ꢀ, for the Normally Closed (NC) switch and  
ON  
for the Normally Opened switch (NO) at 2.7 V.  
The part also features guaranteed Break Before Make switching,  
assuring the switches never short the driver.  
MARKING  
DIAGRAM  
The NLAS4685 is available in a 2.0 x 1.5 mm bumped die array,  
with a 3 x 4 arrangement of solder bumps. The pitch of the solder  
bumps is 0.5 mm for easy handling.  
XX  
D
A1  
Microbump−10  
CASE 489AA  
Features  
A1  
XX = Device Code  
= Date Code  
• Ultra−Low R , t0.8 ꢀ at 2.7 V  
ON  
• Threshold Adjusted to Function with 1.8 V Control at  
D
V
CC  
= 2.7−3.3 V  
• Single Supply Operation from 1.8−5.5 V  
• Tiny 2 x 1.5 mm Bumped Die  
PIN CONNECTIONS AND LOGIC DIAGRAM  
• Low Crosstalk, t 81 dB at 100 kHz  
(Top View)  
GND  
• Full 0−V Signal Handling Capability  
CC  
B
• High Isolation, −65 dB at 100 kHz  
• Low Standby Current, t50 nA  
• Low Distortion, t0.14% THD  
1
NC2  
IN2  
NC1  
IN1  
C
A
1
1
• R Flatness of 0.15  
ꢀ
ON  
C
2
C
3
C
4
A
A
A
2
3
4
• Pin for Pin Replacement for MAX4685  
• Pb−Free Package is Available  
COM2  
NO2  
COM1  
NO1  
Applications  
B
4
• Cell Phone  
• Speaker Switching  
• Power Switching (Up to 100 mA)  
• Modems  
V
CC  
FUNCTION TABLE  
IN 1, 2  
NO 1, 2  
NC 1, 2  
• Automotive  
0
1
OFF  
ON  
ON  
OFF  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NLAS4685FCT1  
Package  
Shipping  
Microbump 3000 Tape/Reel  
NLAS4685FCT1G Microbump 3000 Tape/Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 2  
NLAS4685/D  
1234567...10

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NLAS4685FCT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MAX4685EUB+ MAXIM

功能相似

 SPDT, 2 Func, 1 Channel, PDSO10, MICRO, SOP-10
MAX4684EUB MAXIM

功能相似

 0.5 з/0.8 зLow-Voltage, Dual SPDT Analog Swit
NLAS4684FCT1G ONSEMI

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 Ultra-Low Resistance Dual SPDT Analog Switch

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