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NJVMJD50T4G

更新时间： 2024-11-06 01:09:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
High Voltage Power Transistors

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NJVMJD50T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：0.5
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

NJVMJD50T4G 数据手册

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MJD47, NJVMJD47T4G,  
MJD50, NJVMJD50T4G  
High Voltage Power  
Transistors  
DPAK for Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode supply  
drivers and other switching applications.  
NPN SILICON POWER  
TRANSISTORS  
Features  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
1 AMPERE  
250, 400 VOLTS, 15 WATTS  
• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
COLLECTOR  
2, 4  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
3
Collector−Emitter Voltage  
MJD47, NJVMJD47T4G  
MJD50, NJVMJD50T4G  
V
Vdc  
EMITTER  
CEO  
250  
400  
4
Collector−Base Voltage  
MJD47, NJVMJD47T4G  
MJD50, NJVMJD50T4G  
V
V
Vdc  
CB  
350  
500  
1
2
3
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Base Current  
5
1
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
EB  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
I
C
I
2
CM  
I
B
0.6  
Total Power Dissipation  
P
D
D
MARKING DIAGRAM  
@ T = 25°C  
15  
0.12  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
AYWW  
JxxG  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
@ T = 25°C  
1.56  
0.0125  
W
W/°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
ESD − Human Body Model  
ESD − Machine Model  
HBM  
MM  
3B  
C
V
V
WW = Work Week  
Jxx = Device Code  
xx = 47 or 50  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
August, 2014 − Rev. 15  
MJD47/D  
 
123456

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NJVMJD50T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD50TF ONSEMI

完全替代

 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD50G ONSEMI

完全替代

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