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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NJVNJD2873T4G
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NJVNJD2873T4G

更新时间： 2024-09-15 12:27:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications

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NJVNJD2873T4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.47Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：65 MHzBase Number Matches：1

NJVNJD2873T4G 数据手册

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NJD2873T4G,  
NJVNJD2873T4G  
Power Transistors  
NPN Silicon DPAK For Surface Mount  
Applications  
http://onsemi.com  
Designed for high−gain audio amplifier applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
2 AMPERES  
Features  
• High DC Current Gain −  
h
= 120 (Min) @ I = 500 mA  
C
FE  
= 40 (Min) @ I = 2 A  
C
50 VOLTS  
15 WATTS  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
= 0.3 Vdc (Max) @ I = 1 A  
V
CE(sat)  
C
• High Current−Gain − Bandwidth Product −  
f = 65 MHz (Min) @ I = 100 mA  
COLLECTOR  
2,4  
T
C
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings:  
1
BASE  
♦ Human Body Model, 3B > 8000 V  
♦ Machine Model, C > 400 V  
3
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
EMITTER  
4
• These are Pb−Free Packages  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
3
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CB  
V
CEO  
50  
MARKING DIAGRAM  
V
EB  
5
Collector Current  
Continuous  
Peak  
I
C
AYWW  
J
2
3
2873G  
Base Current  
I
B
0.4  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
D
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
@ T = 25°C  
15  
W
C
Derate above 25°C  
0.1  
W/°C  
Total Device Dissipation  
P
D
= Pb−Free Device  
@ T = 25°C*  
1.68  
0.011  
W
W/°C  
A
Derate above 25°C  
ORDERING INFORMATION  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +175  
°C  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NJD2873T4G  
DPAK  
2,500  
(Pb−Free)  
Units / Reel  
NJVNJD2873T4G  
DPAK  
2,500  
(Pb−Free)  
Units / Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
June, 2012 − Rev. 14  
NJD2873T4/D  
12345

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与NJVNJD2873T4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NJVNJD2873T4G-VF01 ONSEMI

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 		2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor, 2500-REEL
NJVNJD35N04G ONSEMI

获取价格

 		NPN Darlington Power Transistor
NJVNJD35N04T4G ONSEMI

获取价格

 		NPN Darlington Power Transistor
NJW#1143M-TE1 NJRC

获取价格

 		Micro Peripheral IC,
NJW#1190V-TE1 NJRC

获取价格

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NJW#1190V-TE2 NJRC

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 		Micro Peripheral IC,
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