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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1.47 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 65 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ONSEMI |
获取价格 |
2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor, 2500-REEL |
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| NJVNJD35N04G | ONSEMI |
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NPN Darlington Power Transistor |
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| NJVNJD35N04T4G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Darlington Power Transistor |
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| NJW#1143M-TE1 | NJRC |
获取价格 |
Micro Peripheral IC, |
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| NJW#1190V-TE1 | NJRC |
获取价格 |
Micro Peripheral IC, |
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| NJW#1190V-TE2 | NJRC |
获取价格 |
Micro Peripheral IC, |
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| NJW0281G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors |
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| NJW0281G | MICROSEMI |
获取价格 |
150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor |
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| NJW0281G | FOSHAN |
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TO-3P |
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| NJW0281GC | FOSHAN |
获取价格 |
TO-3P |
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